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TCL“薄膜的制备办法和发光二极管”专利获授权

  天眼查显现,TCL科技集团股份有限公司近来获得一项名为“薄膜的制备办法和发光二极管”的专利,授权公告号为CN114203941B,授权公告日为2024年4月23日,请求日为2020年9月17日。

  本请求触及显现技术领域,供给了一种薄膜的制备办法和发光二极管。本请求供给的薄膜的制备办法有:供给涣散液、基质和榜首惰性气体气氛,涣散液包含p型半导体资料,榜首惰性气体气氛掺杂有芳香族化合物,芳香族化合物能涣散或溶解p型半导体资料;在榜首惰性气体气氛下,将涣散液在基质上进行成膜处理,构成薄膜。经过上述办法制得的薄膜外表平坦细密,当应用于发光二极管的空穴功用层时,有利于改进空穴功用层的薄膜描摹,下降空穴功用层与发光层的界面电阻,来进步器材的空穴传输功率,有用平衡器材的空穴传输功率和电子传输功率,从而进步器材的光电功能和作业寿数。